反相器为什么可以提升带负载能力？说简单点，帮助理解，谢谢~

　　反相器是可以将输入信号的相位反转180度，这种电路应用在模拟电路，比如说音频放大，时钟振荡器等。在电子线路设计中，经常要用到反相器。

　　组成结构：

　　典型TTL与非门电路电路组成

　　输入级——晶体管T1和电阻Rb1构成。

　　中间级——晶体管T2和电阻Rc2、Re2构成。

　　输出级——晶体管T3、T4、D和电阻Rc4构成，推拉式结构，在正常工作时，T4和T3总是一个截止，另一个饱和。

　　工作原理：

　　当输入Vi=3.6V(高电平)

　　Vb1=3.6+0.7=4.3V 足以使T1(bc结)T2(be结)T3 (be结)同时导通, 一但导通Vb1=0.7+0.7+0.7=2.1V(固定值),此时V1发射结必截止(倒置放大状态)。

　　Vc2=Vces+Vbe2=0.2+0.7=0.9V 不足以T3和D同时导通,

　　反相器

　　T4和D均截止。

　　V0=0.2V (低电平)

　　当输入Vi=0.2V(低电平)

　　Vb1=0.2+0.7=0.9V不 足以使T1(bc结)T2(be结)T3 (be结)同时导通,

　　T2 T3均截止, 同时Vcc---Rc2----T4---D---负载形成通路,

　　T4和D均导通。

　　V0=Vcc-VRc2(可略)-Vbe4-VD=5-0.7-0.7 =3.6(高电平)

　　结论:输入高,输出低;输入低,输出高(非逻辑)

反相器的功能就是将输入反相（废话=。=），但是是怎么实现的呢？
例如输入0，这时候PMOS打开，NMOS关断，输出节点（就是两个管子的漏极，带有后级负载）会被打开的PMOS上拉的到电源（即数字1），这个上拉的过程就是电源通过打开的PMOS给后级负载充电的过程，显然这个PMOS管尺寸（宽长比）越大，充电速度就越快，带负载能力就越强，因此尺寸越大的P管就有越大的上拉能力；
同样的道理，NMOS的尺寸决定了下拉能力，尺寸越大将负载电容上电荷放到地（数字0）的速度就越快。
总得来说，反相器尺寸越大（如果照平衡设计原则，即让上拉和下拉速度相同，那么P管和N管的宽长比之比是他们迁移率之比的反比），带负载能力就越强，但是有一个问题，它自己尺寸的增大，相当于增大了前级电路的负载，因此如果需要有很大扇出的话，必须使用多级反相器逐步扩大驱动能力，而不能直接由2个反相器完成。往往逐级扩大的比例为x2~x8之间。