IRF630的基本参数

基本参数

漏极电流, Id 最大值：9A

电压, Vds 最大：200V

开态电阻, Rds(on)：0.4ohm

电压 @ Rds测量：10V

电压, Vgs 最高：3V

功率, Pd：100W

封装类型, 替代：SOT-78B

引脚节距：2.54mm

时间, trr 典型值：170ns

晶体管数：1

晶体管类型：MOSFET

满功率温度：25°C

电容值, Ciss 典型值：540pF

电流, Idm 脉冲：36A

表面安装器件：通孔安装

针脚格式：1G 2+插口 D 3S

阈值电压, Vgs th 最低：2V

阈值电压, Vgs th 最高：4V。

扩展资料

IRF630的晶体管极性是N，功耗是100W，封装类型是TO-220，针脚数是3。

同电子管相比，晶体管具有诸多优越性：

1、构件没有消耗

无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍，称得起永久性器件的美名。

2、消耗电能极少

仅为电子管的十分之一或几十分之一。它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子。一台晶体管收音机只要几节干电池就可以半年一年地听下去，这对电子管收音机来说，是难以做到的。

3、不需预热

一开机就工作。例如，晶体管收音机一开就响，晶体管电视机一开就很快出现画面。电子管设备就做不到这一点。开机后，非得等一会儿才听得到声音，看得到画面。显然，在军事、测量、记录等方面，晶体管是非常有优势的。

4、结实可靠

比电子管可靠100倍，耐冲击、耐振动，这都是电子管所无法比拟的。另外，晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一，放热很少，可用于设计小型、复杂、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密，但工序简便，有利于提高元器件的安装密度。

参考资料来源：百度百科-IRF630

参考资料来源：百度百科-晶体管

漏极电流, Id 最大值：9A
电压, Vds 最大：200V
开态电阻, Rds(on)：0.4ohm
电压 @ Rds测量：10V
电压, Vgs 最高：3V
功率, Pd：100W
封装类型, 替代：SOT-78B
引脚节距：2.54mm
时间, trr 典型值：170ns
晶体管数：1
晶体管类型：MOSFET
满功率温度：25°C
电容值, Ciss 典型值：540pF
电流, Idm 脉冲：36A
表面安装器件：通孔安装
针脚格式：1G 2+插口 D 3S
阈值电压, Vgs th 最低：2V
阈值电压, Vgs th 最高：4V