如果不用,MOS的Vds有个很大的尖峰,这个尖峰是由于漏感造成的,漏感的能量不能耦合到次级,那么MOS关断的时候,漏感电流也不能突变,所以会产生个很高的感应电动势,因无法耦合到次级,会产生个很高的电压尖峰,可能会超过MOS的耐压值而损坏MOS管,所以我们实际使用时会在初级加一个RCD吸收电路,把尖峰尽可能的吸到最低值,来确保MOS管工作在安全电压。
主要作用还在于消除MOS管的电压尖峰,当然对于EMC的改善是有好处的。