是IGBT管,分三个极分别是G/C/E,正常情况下G到E是通的,反之不通.如果管子内附二极管,E到C是通的,反之不通.如果没有内附二极管,EC间正反向都不通.CG间正反向都不通.
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绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。
目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。
IGBT有三个电极, 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极) 。
检测IGBT是否击穿:
用万用表二极管档测量IGBT的“E”;“C”;“G”三极间是否击穿。
A:“E”极与“G”极;“C”极与“G”极,正反测试均不导通(正常)。
B:万用表红笔接”E“极,黑笔接“C”极有0.4V左右的电压降(型号为GT40T101三极全不通)。