单向可控硅的检测。
万用表选电阻R*1Ω
挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A
和控制极G,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10
欧姆左右。如阳极A
接黑表笔,阴极K
接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。
.
双向可控硅的检测。
用万用表电阻R*1Ω
挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时,该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1
和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G
极后,再仔细测量A1、G
极间正、反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2,红表笔接第一阳极A1,此时万用表指针不应发生偏转,阻值为无穷大。再用短接线将A2、G
极瞬间短接,给G
极加上正向触发电压,A2、A1
间阻值约10
欧姆左右。随后断开A2、G
间短接线,万用表读数应保持10
欧姆左右。互换红、黑表笔接线,红表笔接第二阳极A2,黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。用短接线将A2、G
极间再次瞬间短接,给G
极加上负的触发电压,A1、
A2
间的阻值也是10
欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持在
10
欧姆左右。符合以上规律,说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅时,需要在万用表黑笔中串接一节1.5V
干电池,以提高触发电压。
当然可以,不然知道好坏?
在控制电路中,可控硅通常能起到举足轻重的作用。它的外观形似一个简单的三极管,也是有三个电极,分别为阳极(a)、阴极(k)和控制极(g),但它实际上是由pnpn四层半导体而构成的。
其中控制引脚是由p层半导体引出的,以触发管子的导通。上述只是针对于单向可控硅而言的。而对于双向可控硅来说,它则是由npnpn五半导体构成的,其三个电极的表达方式略有不同,分别为第一电极(t1)、第二电极(t2)、控制极(g)。但它们的特点都是:当有一触发信号输入其控制极而使管子导通后,即使是断开其触发控制极,该管子仍能正常维持导通,直至其导通的正向电流低于管子维持电流,或是加大其反向电压方能使其截止。
可控硅可分为单向可控硅和双向可控硅。
其单向可控硅的等效电路可由两个三极管或三个二极管组成,而双向可控硅实际是由两个单向可控硅反极性并联构成的。对于单向可控硅的极性判别,可以这样进行:由其等效电路可知,因为g极与k极这间为一个pn结,而g极与a极之间有两个pn结,根据这点可以首先判别出g极。用黑笔接触假设的g极,然后再用红表笔分别碰触测量其余两极,假如一次所测量的阻值较小,在几百ω之间;而另一次所测量得的阻值较大,在几kω之间。这时说明黑表笔所接触的就是g极;而所测得较小阻值一次时,红表笔所接触的就是k极;测得其阻值较大的一次时,其红表笔所接触的就是a极。如要两次测量的阻值都很大,说明猜测错误,黑表笔所接的并非是g极,这时应再假设另一个脚为g极按上述方法进行判别。是不是很简单呢。
对于双向可控硅的极性判别,相对来说就繁琐一点。由双向可控硅的结构图可知,其g极与t1是相通的,此外再根据其双向导通的特性即可以判别了,具体方法是:可用万能表的r×1ω任意测量两极,如果测得其两极的正反电阻都很小,那么这两个极就是g极和t1极了,而剩下的就是t2极。接着下来就区别出g和t1两极,可用红黑表笔分别接触t2和假设t1极测量,然后再用接触t2的表笔同时碰触假设的g极,这时t1和t2两极进入导通状态(原先呈现的是高阻状态),其阻值在10ω左右。放开g极的碰触,如仍能保持导通,则对调红黑表笔重复以上的步骤,当再次放开假设的g极时仍能维持t1和t2两极导通,说明猜测正确。
时不容迟,立即动手测量下吧!
应该够具体了吧!
...谢谢!
该可控硅是双向可控硅,按你说的,该可控硅应该是好的。
1、你说的两种情况都是已经导通了,你断开G极触发信号可控硅会关断,是因为万用表提供的电流小于可控硅的维持电流。
2、你可以试一下,让可控硅去控制一个>5mA的电路(比如控制LED灯),再看看现象
3、双向可控硅的触发方式有多种,你的接法都是工作在第一象限,该可控硅是四象限的,就是有四种触发方式。
有什么问题就追问吧