如何在碳热还原法反应制备碳化硅，控制生成晶体的粒度大小？但在整个温度区间与氮化硅成核趋势均较强且差别细微;氮化硅晶体生长反应为控制步骤.在碳热还原/氮化工艺中控 制Si3N4和SiC生成的边界温度并不明显
