三极管与MOS管有什么区别

1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，
2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。
3、功耗问题：三极管损耗大。
4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。
MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管
实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和
mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随
器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发
射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电
场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内
建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结
的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此
时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是
电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处
的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外
集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电
源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，
当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的
电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复
时间，因此可以用作高速开关管。
实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和
mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随
器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发
射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电
场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内
建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结
的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此
时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是
电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处
的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外
集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电
源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，
当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的
电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复
时间，因此可以用作高速开关管

三极管和MOS管的区别：
　　1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.
　　2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。
　　3、功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。
　　4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
　　简介：
　　一、三极管：
　　三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，
也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
　　二、MOS管：
　　mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
　　双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，
定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压Mos管。

mos管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。
三极管开关速度高，大型三极管的ic可以做的很大，缺点损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。
场效应管与三级管的比较：
1）场效应管是电压控制元件，而三级管是电流控制元件；
2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称为单极性器件，而三级管既有多子，也有少子导电，称之为双极性器件
3）场效应管灵活性比三级管好；
4）场效应管的制造工艺更适合于集成电路。
mosfet和双极型三极管相类似，电极对应关系是b®g、e®s、c®d；由fet组成的放大电路也和三极管放大电路相类似，三极管放大电路基极回路需要一个偏置电流(偏流)，而fet放大电路的场效应管栅极没有电流，所以，fet放大电路的栅极回路需要一个合适的偏置电压(偏压)。fet组成的放大电路和三极管放大电路的主要区别在于：场效应管是电压控制型器件，靠栅源之间的电压变化来控制漏极电流的变化，放大作用以跨导来体现；三极管是电流控制型器件，靠基极电流的变化来控制集电极电流的变化，放大作用由电流放大倍数来体现。
场效应管放大电路分为共源、共漏、共栅极三种组态。在分析三种组态时，可与双极型三极管的共射、共集、共基对照。

三极管和MOS管做开关用时可用以下两种方法来区别。
1、工作性质：
1、"三极管"用电流控制，MOS管属于电压控制。
2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。
3、功耗问题：三极管损耗大。
4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
2、场效应管和晶体管的区别
1、场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。
2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。
3、场效应管能在小电流和低电压的条件下工作，广泛应用于大规模集成电路中。
4、场效应管是利用多数载流子导电，称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。
5、有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
6、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级。

一个是电流驱动型（三极管）；一个是电压驱动型（ＭＯＳ）；2、三极管便宜，mos管贵。
3、三极管损耗大。
4、mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。
MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管