锗的少子浓度高
300K时，Si本征载流子浓度为1*10^10，电子空穴迁移率分别为1450，500
Ge为2.4*10^13，3800，1800
首先假设两种材料的掺杂种类都为N型，浓度分别为ns和ng，并且为中等浓度掺杂
电导率(忽略少子参与的导电)相等即ns*1450=ng*3800
ns=2.6ng
因为掺杂为N，少子应该是空穴，所以ns>ng，ps
以上是最简单的情况
如果再复杂一些就是低掺杂和高掺杂了，和掺杂种类不同的情况
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