IGBT模块损坏的原因有哪些？

一、死区变窄 死区的宽窄主要取决于IGBT管的关断时间。影响判断时间的主要因素有： 1、环境温度。环境温度高，将延长IGBT管的判断时间，使同一桥臂的上、下两管在交替导通过程中的死区变窄，甚至导致直通。这就是在夏天，模块烧坏的故障率偏高的原因。2、变频器的输出电流过大。 变频器的输出电流大，也会延长IGBT管的关断时间，导致直通。 二、驱动不足 驱动不足也即驱动电压偏低，容易使IGBT管进入放大状态，IGBT管的功耗大幅增加，IGBT管将迅速烧毁。

一、死区变窄
死区的宽窄主要取决于IGBT管的关断时间。影响判断时间的主要因素有：
1、环境温度。环境温度高，将延长IGBT管的判断时间，使同一桥臂的上、下两管在交替导通过程中的死区变窄，甚至导致直通。这就是在夏天，模块烧坏的故障率偏高的原因。2、变频器的输出电流过大。
变频器的输出电流大，也会延长IGBT管的关断时间，导致直通。
二、驱动不足
驱动不足也即驱动电压偏低，容易使IGBT管进入放大状态，IGBT管的功耗大幅增加，IGBT管将迅速烧毁。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。