1、从结构上看,PNP型三极管的集电区和发射区是P型半导体,中间的基区是N型半导体,而NPN管的集电区和发射区是N型半导体,中间的基区是P型半导体;
2、从使用上看,PNP关工作时,发射极接高电压,集电极接低电压,而NPN管工作时,发射极接低电压,集电极接高电压。
扩展资料
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
工作原理
理论原理
晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子;
在电压刺激下产生自由电子导电,而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。
当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散;
但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流子。
参考资料:
三极管.百度百科
从结构上看,PNP型三极管的集电区和发射区是P型半导体,中间的基区是N型半导体,而NPN三极管的集电区和发射区是N型半导体,中间的基区是P型半导体。
从使用上看,PNP关工作时,发射极接高电压,集电极接低电压,而NPN管工作时,发射极接低电压,集电极接高电压。
1.PNP型三极管,是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管,所以称为PNP型三极管。也可以描述成,电流从发射极E流入的三极管。
2.PNP是用 E→B 的电流(IB)控制 E→C 的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即 VC < VB < VE。
3.NPN型三极管,由三块半导体构成,其中两块N型和一块P型半导体组成,P型半导体在中间,两块N型半导体在两侧。三极管是电子电路中最重要的器件,它最主要的功能是电流 放大和开关作用。
4.NPN是用 B→E 的电流(IB)控制 C→E 的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即 VC > VB > VE。
从结构上看,PNP型三极管的集电区和发射区是P型半导体,中间的基区是N型半导体,而NPN管的集电区和发射区是N型半导体,中间的基区是P型半导体。
从使用上看,PNP关工作时,发射极接高电压,集电极接低电压,而NPN管工作时,发射极接低电压,集电极接高电压。
你好!不管是PNP还是NPN型三极管,在放大状态时,都要实现集电极反偏,发射极正偏,也就是说,当三极管工作在放大状态时,集电极电压/电流必须要大于基极电压/电流,而基极电压/电流要大于发射极的电压/电流。这就叫集电极反偏,发射极正偏
希望对你有帮助。
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