怎么使用场效应管做开关

方案1要用P沟道场管，IRF640N是N沟道的，不能用，还要求PLC的OC端能承受24V电压，这点可能不行。

方案2用N沟道场管，IRF640N可行。

两个方案都是低电平枯友接通电磁阀，高电平断开。

向左转|向右转

场效应管要注意防静电。很容易烧坏的。举个例子:做一个场效应管的的开关电路，控制25w24v的电磁铁，电源直流24v，信号电压8v，最低1，7v，信号和输出都是两个，一个离合，一个刹车，交替运行每秒大约5次银败配。方法:1，7至8V的信号电压通过限流电阻接至三极管基极，三极管集电极触发由CD4013数字集成电路电路组成的单稳态电路，数字电路4013的输出端Q和Q非分别驱动2个场效应管，二个效应管均可驱动电磁铁线圈，使离合，刹车交替进行，选取合适的单稳态电阻和电容元件可以使离合，刹车每秒1次以上。

场效应管电压控制元件，仅仅在开关时候需要从栅极吸收或者释放电流，因此驱动损耗较小。多子器件，没有电导调制效应，有一个近似线性I-V关系，导通压降随着电流增大增大。高耐压的场效应管的漂移区较厚，因此导通电阻较大。导通电阻具有正温度系数，并联时候可以实现自动均流。硅半导体的MOSFET耐压等级为600V以下。这是因为导通压降和耐压的关系的限制。新型的碳化硅MOSFET的耐压等级可以做到1200V。对于高耐压情况，IGBT结合了MOSFET和晶体管的特性，具有MOSFET优异的开关性能和晶体管的静态性能，在1000V~6000V应用场合更受到青睐。

扩展资料

1,测量

极性及管型判断

向左转|向右转

红笔接S,黑笔接D值为(300-800)为N沟道

红笔接D,黑笔接S值为(300-800)为p沟道

如果先没G,D再没S,D会长响,表笔放在G和最短脚相连放电,如果再长响为击穿

贴片场管与三极管难以区分,先按三极管没,如果不是按场管测

场管测量时,最好取下来测,在主板上测量会不准

2,好坏判断

测D,S两脚值为(300-800)为正常,如果显示“0”且长响,场管击穿;如果显示“1”,场管为开路

软击穿(测量是好的,换到主板上是坏的),场管输出锋指不受G极控制。

方案1要用P沟道场管，IRF640N是N沟道的，不能用，还要求PLC的OC端能承受24V电压，这点可能不行。

方案2用N沟道场管，IRF640N可行。

两个方案都是低电平接通电磁阀，高电平断开。

场效应管要注意防静电。很容易烧坏的。
举个例子：
做一个场效闹裤此应管的的开关电路，控制25w 24v的电磁铁 ，电源 直流24v ，信号电压 8v，最低1.7v ，信号和输出都是两个 ，一个离合， 一个刹车 ，交替运行 每秒大约5次。
方法：1.7至8V的信号电压通过限流电阻接至三极管基极，三极管集电极触发由CD4013数字集成电路电路组成的单稳态电路，数字电路4013的输出端液迅Q和Q非分别驱动2个场效应管，二个效应管均可驱动电磁铁线圈，使离合、刹车交替进行，选取合适的单稳态电阻和电容元件可以使离合 、刹车每秒1次以上。

场效应管电压控制元件，仅仅在开关时候需要从栅极吸收或者释放电流，因此驱动损耗较小。多子器件，纯冲没有电导调制效应，有一个近似线性I-V关系，导通压降随着电流增大增大。高耐压的场效应管的漂移区较厚，因此导通电阻较大。导通电阻具有正温度系数，并联时候可以实现自动均流。硅半导体的MOSFET耐压等级为600V以下。这是因为导通压降和耐压的关系的限制。新型的碳化硅MOSFET的耐压等级可以做到1200V。对于高耐压情况，IGBT结合了MOSFET和晶体管的特性，具有MOSFET优异的开关性能和晶体管的静态性能，在1000V~6000V应用场合更受到青睐。

漏极接6v，源极做开关输出端，栅极做控制端。当栅极加6v（高电平）导通。这样可以实现开关功能。

场效悄誉应管作为电磨肢子开关启游段的小实验。

看看百度文库
《由MOS场效应管组成的开关电源电路》