正激、反激不用考虑了,200w反激的极限,500w正激的极限,至于是用半桥还是全桥,要看你用的功率管了,如果你用的是vmos或晶体管(bjt),那要用全桥,因为大电流、高电压的管子太少,用的是igbt话,半桥可以考虑。3842也不用考虑了,那是单片反激式PWM,推荐你用经典的TL494,百度文库中有它的中文资料,你也可以考虑其它的pwm芯片。
我认为你最好用 LLC半桥谐振拓扑结构,对于1000W的功率,还是很容易满足的。LLC结构最大的特点就是合理利用了变压器的漏感来进行能量变换。转换效率高,输出电压纹波小,频率也能做到很高。你的输出电流时20A,一般的整流电路是不行的,建议次级采用同步整流结构。还有就是,你的功率比较大,变换器的前级采用主动PFC校正电路,至于控制芯片嘛,还是很多的,PI,fairechild,安捷伦等公司有很多,你可以慢慢地选择!
建议你用推挽或全桥,芯片选SG3525,开关管建议用IGBT,性能比MOS管还好。可以选电磁炉用的IGBT,耐压就够了。SG3525是图腾柱式输出,很适合驱动MOS管和IGBT,保护功能较完善,我用过。推挽用2只IGBT就可以了,全桥要用4只。
说实话,我公司还真有这一种充电器,用的是TL494的芯片,因为是大功率,所以保护得很好,所以有单片机来控制, 用了四个IRF4N60(一个管子9元多)。 说实话,你连1000W用什么电路结构做都不知道,那就别挑战这种大家伙了,烧一次机都要几十块钱。 当然,如果你真想挑战,那也可以考滤用推挽式的电路结构吧,TL494或者3525都行,只是保护不好的话可能会充坏电池或者会烧机。祝你成功!
正激、反激不用考虑了,200w反激的极限,500w正激的极限,至于是用半桥还是全桥,要看你用的功率管了,如果你用的是vmos或晶体管(bjt),那要用全桥,因为大电流、高电压的管子太少,用的是igbt话,半桥可以考虑。3842也不用考虑了,那是单片反激式PWM。