3个字节的地址?你是指它在器件内的编址吗?那个要看手册的,不同的FLASH芯片不一样。
FLASH和E2PROM的区别就是,FLASH只能按块擦,逐位或按块写,而E2PROM可以任意擦写,所以如果只想写入4、5个字节的数据,如果是改写而不是续写,需要擦掉整块数据才能写,所以如果后边有数据要保留的话需要先建立一个缓存,读出整块数据,然后在内存中修改这4、5个要写入的数据后再擦除块,最后重写缓冲中的整块数据。
但如果是续写或是不用后边的区域就要简单得多,续写直接续就可以了,不用后边的区域可以直接擦块就写,写不完也没关系。