漏极接负载 ，那么在负载上也产生一个压降 加载漏极的电压减小 所以场管的压降减小 反之加载源极后漏极电压增大 故场管的压降变大
不是所有场效应管而是MOS,vMOS,MES,等绝缘栅型场效应管，以N沟道为例-当漏源电压小于栅源电压时工作于导通态，否则工作于夹断（恒流）状态，故漏极接负载时有利于进入理想导通态，压降小……略……。
