在变压器高压侧和低压侧分别加额定电压进行空载试验，所测得的特损耗是否一样？

不一定
“短路阻抗大的，负载损耗大”是不对的，应该是短路阻抗大的，杂散损耗大，杂散损耗只是负载损耗中很小的一部分。负载损耗包括基本（电阻）损耗，涡流损耗、引线损耗、杂散损耗几大部分，不能说杂散损耗大，总负载损耗就大。
没有提具体参数，但可以定性分析一下。
一般自耦变的自耦效益系数都在0.5左右，这种情况下，高中压匝数大致相等，中压额定电流大致是高压额定电流的2倍，中压线圈的直流电阻大概是高压线圈直流电阻的一半。以这个为前提来分析来分析。
自耦变由于特殊的结构，高压线圈通常也被称为串联线圈，中压线圈也被称为基本线圈。在高低运行时，中压线圈实际还是有电流流过的，中压电流等于高压电流，这个电流大概是中低运行时中压电流的一半。这种情况下，低压的基本损耗和涡流损耗大致不变，只要比较高中压的损耗就可以了。高低运行时，假设高压损耗为2R×I×I，中压损耗应该为R×I×I，中低运行时，高压损耗为0，中压损耗为R×2I×2I，仅从基本损耗看，中低运行时的损耗要高于高低运行时的损耗了。至于杂散损耗的影响，就与变压器容量大小有关系了，所以说到底是哪个损耗大，是不一定的。
当然，如果低压是满容量的，那高低的损耗一定大于中低的。

不一定
楼上说的“短路阻抗大的，负载损耗大”是不对的，应该是短路阻抗大的，杂散损耗大，杂散损耗只是负载损耗中很小的一部分。负载损耗包括基本（电阻）损耗，涡流损耗、引线损耗、杂散损耗几大部分，不能说杂散损耗大，总负载损耗就大。
你没有提具体参数，但可以定性分析一下。
一般自耦变的自耦效益系数都在0.5左右，这种情况下，高中压匝数大致相等，中压额定电流大致是高压额定电流的2倍，中压线圈的直流电阻大概是高压线圈直流电阻的一半。我们以这个为前提来分析来分析。
自耦变由于特殊的结构，高压线圈通常也被称为串联线圈，中压线圈也被称为基本线圈。在高低运行时，中压线圈实际还是有电流流过的，中压电流等于高压电流，这个电流大概是中低运行时中压电流的一半。这种情况下，低压的基本损耗和涡流损耗大致不变，只要比较高中压的损耗就可以了。高低运行时，假设高压损耗为2R×I×I，中压损耗应该为R×I×I，中低运行时，高压损耗为0，中压损耗为R×2I×2I，仅从基本损耗看，中低运行时的损耗要高于高低运行时的损耗了。至于杂散损耗的影响，就与变压器容量大小有关系了，所以说到底是哪个损耗大，是不一定的。
当然，如果低压是满容量的，那高低的损耗一定大于中低的。

我觉得理论上是一样的损耗！但是实际上是不会有一样的损耗啊！理论是理解为铜是无电阻的！但是实际上是有的啊、！在2端流是不一样的，发热的也不一样！所以损耗应该不会相等的！

对于理想变压器（无漏感，无铜损）是一样的。

变压器的空载试验是用来测量空载损耗的。空载损耗 主要是铁耗。铁耗的大小可以认为与负载的大小无关，即空载 时的损耗等于负载时的铁损耗，但这是指额定电压时的情况。 如果电压偏离额定值，由于变压器铁芯中的磁感应强度处在磁 化曲线的饱和段，空载损耗和空载电流都会急剧变化，所以空 载试验应在额定电压下进行。