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在cadence ic版图设计中tsmc工艺库里各层名称对应的相关功能是什么?例如Nwell是N阱层

2024-12-02 06:46:37

推荐回答（2个）

回答（1）：

这和你现在使用的具体工艺库有关。
以tsmc65N为例：PO是poly多晶硅，OD+NP是N+，OD+PP是P+，NW是N井，M1~8是金属1~8，比较常用的就这些吧貌似。

回答（2）：

一般的工艺上来说，基本的层次会有以下一些：
DNW：深N阱层，主要是起隔离的作用
Nwell：N阱层，主要是用来做衬底和隔离
diff：有源区层，主要是用来做mos管的源、漏和衬底接触。
poly1：多晶硅层，主要用来做mos管的栅极，电阻，电容等。
cont：通孔
metal：金属1
via12：通孔
metal2：金属2
via23：通孔
metal3：金属3
。。。
以下的基本就是一些金属和通孔了，主要就是为了连接相关的电路，实现一定的功能。希望能够帮到你。