NPN型三极管和PNP型三极管的导通条件,晶体管的工作区域可以分为三个区域:
截止区:
其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路,UBE<=UON且UCE>UBE
。此时iB=0,而iC<=ICEO。小功率硅管的iCEO+在1uA以下,锗管的iCEO小于几十微安。因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC=0。
2.放大区:
其特征是发射结正向偏置(UBE大于发射结开启电压UON)且集电结反向偏置。对于共射电路,UBE>UON且UCE>=UBE
(即UC>UB>UE)。此时的,iC几乎仅决定于iB,而与UCE无关,表现出iB
对
iC的控制作用,iC=βiB。在理想情况下,当iB按等差变化时,输出特性是一组横轴的等距离平行线。(简单的说对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位,对PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位,这是放大的条件.)
3.饱和区:
其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路,UBE>UON且
UCE
Ue,Ub>Uc;(PNP型)Ue>Ub,Uc>Ub。
在模拟电路中,绝大多数情况下应保证晶体管工作在放大状态。
NPN型三极管的开关作用
三极管除了有对电流放大作用外,还有开关作用(即通、断作用),当基极加上正偏压时,NPN型三极管即导通处于饱和状态,灯会亮;反之,三极管就不导通,灯不亮。