1、用快速恢复二极管可以代替肖特二极管。
2、快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。
3、肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管的特点是可以做到大电流、高反压、低导通电压、高速度,和它相近的有快速恢复二极管,也可以做到大电流、高反压、低导通电压、高速度,但是肖特基二极管的速度更快(快速恢复二极管的反向恢复时间可以快到几百纳秒,肖特基二极管则可以达到几个纳秒)、正向导通电压更低(快速恢复二极管的正向导通电压为0.6伏,肖特基二极管则是0.4伏),如果在对反向恢复时间和正向导通电压要求不是特别高的情况下,通常快速恢复二极管也是可以用的,但是肖特基二极管终究更胜一筹。