对于正负电荷，在电流方向相同，也就是粒子运动方向相反的情况下，洛仑兹力的方向是相同的。因此正负电荷的霍尔电压是相反的。
假定价带顶在k=0处，靠近价带顶的电子的晶体动量和速度是相反的。这意味着在价带顶处的电子受到的洛仑兹力的方向和导带底是相反的。N型半导体的自由电子在导带底，P型半导体的电子费米面在价带顶，这也就是两者的霍尔效应相反的原因。
扩展资料
所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。
当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈极强的霍尔效应。
如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上，当装在运动物体上的永磁体经过它时，可以从测量电路上测得脉冲信号。根据脉冲信号列可以传感出该运动物体的位移。若测出单位时间内发出的脉冲数，则可以确定其运动速度。
内容全部来源于网络收集，如有侵权，请联系网站删除：QQ：24596024