怎样抑制mos体二极管反向恢复

①体二极管的反向恢复特性分析

理解了反向恢复特性，对抑制体二极管反向恢复方法至关重要。

功率场效应管Power MOSFET的结构如下：

图中的结构可以看到，P基区和N-epi形成了一个PN结，即MOSFET的寄生体二极管。

电荷存储效应

当体二极管外加正向电压VF时，正向电压削弱了PN结的内电场，漂移运动被削弱，扩散运动被增强，扩散和漂移的动态平衡被破坏。造成P区的空穴流向N区，N区的电子流向P区。因此，在P区和N区的少子比无外加电压时多，这些多出来的少子称为非平衡少子。非平衡少数载流子积累的现象叫做电荷存储效应。

存储电荷的释放

当体二极管施加反向电压时，P区存储的电子和N区存储的空穴将通过两个途径逐渐减少：

• 在反向电场作用下，P区电子被拉回N区，N区空穴被拉回P区，形成反向漂移电流；

• 与多数载流子复合。

  
  

  

  
  

②体二极管的反向恢复的抑制和改善

在实际应用中，从以上分析可以总结出关于MOSFET体二极管在实际应用中的应用要领：

• 优化布线减小线路的寄生电感，从而减小在反向恢复过程中的Ringing

• 调整开关速度来控制反向恢复时电流导数

• 选择快速恢复功率场效应管来进行设计。