漏极电流Id与漏源电压Vds和栅源电压Vgs皆有关系。
以N沟道增强型MOS管为例：
当Vgs一定时，Id随Vds的增大出现先增大再恒定最后激增的现象；
当Vgs>Vgsth增加时，Id也随之呈增大趋势。
以上是宏观特性，其微观特性依据沟道间导电层的厚度决定。
其它各型场效应管皆以N沟道增强型MOS管为模本，根据其自身特性进行具体分析。
与VGS电压有关
如果是N 沟道增强型， 如果VGS增加Id就会增加（非饱和的时候）
P沟道增强型反之
内容全部来源于网络收集，如有侵权，请联系网站删除：QQ：24596024