1700V的IGBT芯片英飞凌有哪些电流参数？

2025-03-20 03:30:18

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回答（1）：

1700V英飞凌IGBT芯片晶圆

SIGC42T170R3GE 1700V 29A

SIGC68T170R3E 1700V 50A

IGC89T170S8RM 1700V 75A

SIGC101T170R3E 1700V 75A

IGC114T170S8RH 1700V 100A

IGC114T170S8RM 1700V 100A

SIGC128T170R3E 1700V 100A

IGC136T170S8RH2 1700V 117.5A

SIGC158T170R3E 1700V 125A

IGC168T170S8RH 1700V 150A

IGC168T170S8RM 1700V 150A

SIGC186T170R3E 1700V 150A

回答（2）：

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

回答（3）：

spirit and soul of virtue.